Предыдущая тема :: Следующая тема |
Автор |
Сообщение |
o-dima Эксперт
Зарегистрирован: 01.01.1970 Сообщения: 208 Откуда: Брест (Беларусь)
|
Добавлено: Пн Июн 13, 2005 3:37 pm Заголовок сообщения: |
|
|
Цитата: | что будет, если вместо R4 поставить Is4=Is1 (Рис.5) | Ничего хорошего (посмотрел в симуляторе).
Цитата: | Что бы получить практически режим В. | Убрав R6 (Рис.5), можно получить ток покоя порядка 20 мА (при соответствующих диодах) - практически режим В.
Цитата: | не знаю куда деть обратный ток коллектора прои разогреве транзистора | Не понял. А на рис.5 (или 14) эта проблема есть?
Цитата: | в выходной каскад добавить усиление (1.5...2 раза) для лучшего использования напряжения питания | Да вроде и так не плохо, если по рис.14. |
|
Вернуться к началу |
|
|
ES Опытный
Зарегистрирован: 01.01.1970 Сообщения: 82 Откуда: Киев
|
Добавлено: Вт Июн 14, 2005 11:22 am Заголовок сообщения: |
|
|
:-)
.: 3002 :. o-dima Пн Июн 13, 2005 3:37 pm писал(а): | Цитата: | что будет, если вместо R4 поставить Is4=Is1 (Рис.5) | Ничего хорошего (посмотрел в симуляторе). |
Очень жаль
У меня замысел:
вых. каскад ОЭ или каскод. Хочется выход усилителя с коллектора чтобы исключить влияние нагрузки.
и питать его от параллельного усилителя.
На базу транзистора вых. каскада подавать ток (от 0 и более), что бы не допустить отсечку (запирание). 0 и более получается если питать каждый предвыходной от одинаковых источников тока. Но возникают проблемы с обратным током коллектора выходного транзистора (который в базу). Как его отследить и забрать.
От насыщения защитить 2-мя диодами в базу и коллектор с коллектора предвыходного.
А что плохого увидел в симуляторе? хотя бы в двух словах.
Цитата: | Цитата: | не знаю куда деть обратный ток коллектора прои разогреве транзистора | Не понял. А на рис.5 (или 14) эта проблема есть? |
На твоей схеме нет
С уважением
ES |
|
Вернуться к началу |
|
|
o-dima Эксперт
Зарегистрирован: 01.01.1970 Сообщения: 208 Откуда: Брест (Беларусь)
|
Добавлено: Вт Июн 14, 2005 1:23 pm Заголовок сообщения: |
|
|
Цитата: | А что плохого увидел в симуляторе? хотя бы в двух словах. | Если резисторы заменить на ИТ с таким же током, как был в резисторах, то разницы почти нет. Но если ток такой же (большой), как в ИТ входного каскада (при этом R2=R3=1 на рис.5), то изменения мощностей транзисторов входного и предвыходного каскадов далеко не соответствуют друг другу, чуть ли не с точностью до наоборот. А соответствие мгновенных мощностей я в этой схеме ставил как одну из целей. |
|
Вернуться к началу |
|
|
ES Опытный
Зарегистрирован: 01.01.1970 Сообщения: 82 Откуда: Киев
|
Добавлено: Вт Июн 14, 2005 4:25 pm Заголовок сообщения: |
|
|
:-)
.: 3013 :. o-dima Вт Июн 14, 2005 1:23 pm писал(а): | Цитата: | А что плохого увидел в симуляторе? хотя бы в двух словах. | Если резисторы заменить на ИТ с таким же током, как был в резисторах, то разницы почти нет. Но если ток такой же (большой), как в ИТ входного каскада (при этом R2=R3=1 на рис.5), то изменения мощностей транзисторов входного и предвыходного каскадов далеко не соответствуют друг другу, чуть ли не с точностью до наоборот. А соответствие мгновенных мощностей я в этой схеме ставил как одну из целей. |
Извини, никак не "вьеду".
Если Is1= I(R4) , соответственно Is2= I(R5) как это изменит температурный режим
В схеме I(R4) = U(бэQ7) / R4 - тоже примерно постоянный
...соответствие мгновенных мощностей...
Ток Q3 больше Q1 в бету раз, зничит и мощности разные по ним "гуляют".
(при этом R2=R3=1 на рис.5) Имелось ввиду =0?
Действительно не вьеду. Как в анекдоте "два раза и медленно"
С уважением
ES
P.S. Может это последствия свежеокрашенных и жутковонючих стен в соседней комнате на работе... |
|
Вернуться к началу |
|
|
o-dima Эксперт
Зарегистрирован: 01.01.1970 Сообщения: 208 Откуда: Брест (Беларусь)
|
Добавлено: Вт Июн 14, 2005 9:28 pm Заголовок сообщения: |
|
|
Цитата: | Если Is1= I(R4) , соответственно Is2= I(R5) как это изменит температурный режим | Лучше один раз увидеть:
Похожая картина получается при увеличении сопротивления нагрузки раза в 4. То есть, как и для обычного параллельного повторителя, для этой схемы есть некоторое оптимальное сопротивление нагрузки, на которое она настроена. Правильно схему настраивать нужно так, чтобы на номинальном сопротивлении нагрузки (Rн) была компенсация тепловых искажений (равенство мгновенных мощностей на транзисторах), а предел неискажённой передачи сигнала - при Rн/3 (или меньше).
Цитата: | В схеме I(R4) = U(бэQ7) / R4 - тоже примерно постоянный | Но в 5 раз меньше, поэтому результат другой. В этой схеме всё взаимосвязано.
Цитата: | Ток Q3 больше Q1 в бету раз | Вовсе нет, в покое Iк(Q1)=9,7мА, Iк(Q3)=12мА. При сигнале:
Цитата: | (при этом R2=R3=1 на рис.5) Имелось ввиду =0? | Нет, именно 1 Ом. Если R2=R3=0 и Re(Q1,Q2)=0, то схема вообще не работает, в смысле - без искажений. Это сопротивление нужно для ОС тока покоя выходных транзисторов (Q5,Q6,D3,D4). |
|
Вернуться к началу |
|
|
o-dima Эксперт
Зарегистрирован: 01.01.1970 Сообщения: 208 Откуда: Брест (Беларусь)
|
Добавлено: Ср Июн 15, 2005 8:34 pm Заголовок сообщения: |
|
|
.: 3013 :. o-dima 14 Июнь 2005 - 13:23 Вторник писал(а): | Если резисторы заменить на ИТ с таким же током, как был в резисторах, то разницы почти нет. |
Точнее, есть улучшение - значительно уменьшается нелинейность возле нуля. На спектре это выглядит как более быстрое спадание хвоста. Например, 11-я гармоника уменьшается на 11 дБ. |
|
Вернуться к началу |
|
|
o-dima Эксперт
Зарегистрирован: 01.01.1970 Сообщения: 208 Откуда: Брест (Беларусь)
|
Добавлено: Вт Июн 21, 2005 11:12 pm Заголовок сообщения: |
|
|
Упс. Дошло:
.: 3014 :. ES 14 Июнь 2005 - 16:25 Вторник писал(а): | Ток Q3 больше Q1 в бету раз, зничит и мощности разные по ним "гуляют". | Речь о переменной составляющей токов.
Ток Q1 изменяется в основном из-за изменения тока через Q5, Q6. Вклад тока базы Q3 мал, поэтому соотношение переменной составляющей токов Q3 и Q1 далеко не бета. |
|
Вернуться к началу |
|
|
o-dima Эксперт
Зарегистрирован: 01.01.1970 Сообщения: 208 Откуда: Брест (Беларусь)
|
|
Вернуться к началу |
|
|
ES Опытный
Зарегистрирован: 01.01.1970 Сообщения: 82 Откуда: Киев
|
Добавлено: Пн Июл 04, 2005 3:42 pm Заголовок сообщения: |
|
|
:-)
.: 3073 :. o-dima Вт Июн 21, 2005 11:12 pm писал(а): | Упс. Дошло... |
А до меня ещё доходит... Думаю, думаю, думаю...
ES |
|
Вернуться к началу |
|
|
o-dima Эксперт
Зарегистрирован: 01.01.1970 Сообщения: 208 Откуда: Брест (Беларусь)
|
|
Вернуться к началу |
|
|
o-dima Эксперт
Зарегистрирован: 01.01.1970 Сообщения: 208 Откуда: Брест (Беларусь)
|
|
Вернуться к началу |
|
|
o-dima Эксперт
Зарегистрирован: 01.01.1970 Сообщения: 208 Откуда: Брест (Беларусь)
|
|
Вернуться к началу |
|
|
Arbat19 Участник
Зарегистрирован: 08.07.2006 Сообщения: 22 Откуда: г.Прокопьевск
|
Добавлено: Пн Июл 17, 2006 5:41 pm Заголовок сообщения: |
|
|
Цитата: | "Век живи, век учись и дураком помрёшь..." | Совершенно новая для меня инфа и очень интересная. Голова и так "сломана", а тут ещё и это... Хорошо хоть "наткнулся", бум изучать...
Кстати, частично проблемму с таким видом искажений можно решить параллельным включением нескольких транзисторо (что не ново), уменьшив нагрузку, снизим и динамику теплового процесса!?... |
|
Вернуться к началу |
|
|
o-dima Эксперт
Зарегистрирован: 01.01.1970 Сообщения: 208 Откуда: Брест (Беларусь)
|
Добавлено: Пт Июл 21, 2006 12:03 am Заголовок сообщения: |
|
|
Да, "экстенсивным" методом можно уменьшить. Но интереснее "интенсивным". Дешевле, ёмкости поменьше и эффект поболее. А в пределе, схемотехникой можно практически исключить тепловые искажения. Мечта, конечно Но приблизиться можем. |
|
Вернуться к началу |
|
|
o-dima Эксперт
Зарегистрирован: 01.01.1970 Сообщения: 208 Откуда: Брест (Беларусь)
|
|
Вернуться к началу |
|
|
|